اعانه 15 سپتمبر 2024 – 1 اکتبر2024 د پیسو د راټولولو په اړه

Кремний - материал наноэлектроники : учебное пособие для...

Main
Technique - Nanotechnology
Кремний - материал наноэлектроники :...

Кремний - материал наноэлектроники : учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 "Нанотехнология" и 210100 "Электроника и микроэлектроника"

Герасименко Николай Николаевич, Пархоменко Юрий Николаевич

0 / 0

دا کتاب تاسو ته څنګه خواښه شوه؟

د بار شوي فایل کیفیت څه دئ؟

تر څو چې د کتاب کیفیت آزمایښو وکړئ، بار ئې کړئ

د بار شوو فایلونو کیفیتی څه دئ؟

درجه (قاطیغوری(:

Technique - Nanotechnology

کال:

2007

خپرندویه اداره:

Техносфера

ژبه:

russian

صفحه:

357

ISBN 10:

5948361012

ISBN 13:

9785948361017

لړ (سلسله):

Мир материалов и технологий; VI, 12

فایل:

DJVU, 7.40 MB

IPFS:

,

russian, 2007

په آن لاین ډول لوستل

ته بدلون په کار دي

ته بدلون ناکام شو

ممکن تاسی علاقمند شی

— Монокристаллическиые плёнки

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Трусов Л. — Островковые металлические пленки

Поут Дж., Ту К., Мейер Дж.(Poate J.M., Tu K.N., Mayer J.W.) — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Палатник, Сорокин — Материаловедение в микроэлектронике

Поут Дж.М. (ред) — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Коллектив авторов — Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. — Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Под ред. Дж.М. Поута и др.; Пер. с англ. Н.К. Мышкина и др.; Под ред. А.А. Углова — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Романовский Е.А., Коваль А.Г., Мельничук И.А., Борисов А.Г., Бажин А.И., Рыжов В.Н., Дробнич В.Г., Медведев С.Ю., Поп С.С., Есаулов В.А., Петухов В.П., Мирахмедов М.Н., Шароди И.С., Бандурин Ю.А., Белых Л.С., Дащенко А.И., Грицына В.В. И др. — Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции 5-8 октября 1995 г. Том 2

Поут Дж. и др. — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

— IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе КРЕМНИЙ-2012, 9-13 июля 2012 Санкт-Петербург

— Школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. Конспекты лекций и тезисы докладов

Усанов Д.А., Яфаров Р.К. — Исследование самоорганизации нанокристаллитов в плазме СВЧ газового разряда низкого давления

Тетельбаум Д.И., Менделева Ю.А. — Наноструктурирование кремния ионными пучками

Ершов А.В., Михайлов А.Н. — Многослойные нанопериодические структуры на основе кремния. Свойства и их направленная модификация

Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. — Наноразмерные частицы кремния и германия в оксидных диэлектриках. Формирование, свойства, применение

Пранявичюс Л., Дудонис Ю. — Модификация свойств твёрдых тел ионными пучками

Удовиченко С.Ю. — Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро - и наноэлектроники. Часть 3-я

— Кремний-2014. Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. (Иркутск 7-12 июля 2014 г.)

Джафаров Т.Д. — Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах

Филатов Д.О., Исаков М.А., Круглова М.В. — Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

— Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах 2010

Светличный А.М., Наумченко А.С. — Конспект лекций по дисциплине Лучевые и плазменные методы формирования наноструктур интегральной электроники

Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. — Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Достанко А.П. и др. — Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро - и наноэлектроники

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Палатник Л.С., Сорокин В.К. — Материаловедение в микроэлектронике

Ченг Л. (ред.), Плог К. (ред.) — Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. — Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

Смирнов Л.С. (ред.) — Вопросы радиационной технологии полупроводников

مهمي جملي

поверхности

структур

структуры

островков

подложки

имплантации

дефектов

зависимости

температуре

получения

результаты

формирования

нанокристаллов

распределения

температуры

образцов

проводимости

различных

нанотрубки

электронов

изображения

приводит

значения

поверхность

полупроводниковых

размеров

свойства